Подлога од силицијум карбида

Силицијумкарбидна подлога:

а. Сирови материјал: СиЦ се не производи природно, већ се меша са силицијум диоксидом, коксом и малом количином соли, а графитна пећ се загрева на више од 2000 ° Ц, а А-СИЦ се генерише. Мере предострожности, може се добити тамнозелени поликристални склоп у облику блока;

б. Метода производње: Хемијска стабилност и термичка стабилност СиЦ-а су веома добре. Тешко је постићи згушњавање уобичајеним методама, тако да је потребно додати синтеровано помоћно средство и користити посебне методе за печење, обично методом вакуум термичког пресовања;

ц. Карактеристике СиЦ супстрата: Најизразитија природа је да је коефицијент топлотне дифузије посебно велики, чак и више бакра од бакра, а његов коефицијент термичке експанзије је ближи Си. Наравно, постоје неки недостаци, релативно, диелектрична константа је висока, а отпорни напон изолације је лошији;

Д. Примена: За силицијумкарбидне подлоге, дуго продужење, вишеструка употреба нисконапонских кола и ВЛСИ пакета са високим хлађењем, као што су велика брзина, ЛСИ трака високе интеграције и супер велики рачунари, апликација за супстрат ласерске диоде за лаку комуникацију, итд.

Подлога кућишта (БЕ0):

Његова топлотна проводљивост је више него двоструко већа од А1203, који је погодан за кола велике снаге, а његова диелектрична константа је ниска и може се користити за високофреквентна кола. БЕ0 супстрат је у основи направљен методом сувог притиска, а такође се може произвести коришћењем количине МгО и А1203 у траговима, као што је тандем метода. Због токсичности БЕ0 праха, постоји еколошки проблем, а БЕ0 супстрат није дозвољен у Јапану, може се увести само из Сједињених Држава.